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        产品详情
        • 产品名称: AL2O3+Al(0.1)Ga(0.9)N 薄膜(Al0.1GaN0.9 epitaxial template on Sapphire N type )
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:
        • 浏览次数: 225

        产品名称:

        Al2O3+Al0.1GaN0.9 薄膜N型不掺杂(Al0.1GaN0.9 epitaxial template on Sapphire  N type )

        常规尺寸:

        dia2",单抛

         

        标准包装:

         

        技术参数:

         

        1000级超净室及100级超净纸真空包装或单片盒装

         

        Al2O3晶向:

        c-axis (0001) +/- 1.0 o

        导电类型

        N 型不掺杂

        薄膜厚度:

        5um,研究级,单抛

        电阻率:

        < 0.5 Ohm-cm

        正面Ga面情况:

        As-grown

        反面情况

        as-received finish

        可用区域:

        >90% Edge Exclusion Area 1mm

        数据图:

        详细数据图请点击

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