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技术参数： |
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晶体结构：
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四方(4mm): 9oC < T < 130.5 oC
a=3.99 Å, c= 4.04 Å ,
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生长方法：
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顶部籽晶溶液法(TSSG)
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熔点：
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1600 oC
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密度：
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6.02 g/cm3
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介电常数：
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ea = 3700, ec = 135 (自由状态)
ea = 2400, e c = 60 (夹持状态)
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折射率：
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515 nm 633 nm 800 nm
no 2.4921 2.4160 2.3681
ne 2.4247 2.3630 2.3235
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透射波长范围：
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0.45 ~ 6.30 mm
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电光系数：
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rT 13 =11.7 ±1.9 pm/V rT 33 =112 ±10 pm/V
rT 42 =1920 ±180 pm/V
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SPPC 反射率
(0度切 )：
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l = 515 nm, 50 - 70 % (最高达到77%)
l = 633 nm, 50 - 80 % (最高达到86.8%)
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二波混频耦合常数:
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10 - 40 cm-1
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吸收损耗:
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l: 515 nm 633 nm 800 nm
a: 3.392cm-1 0.268cm-1 0.005cm-1
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