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        产品详情
        • 产品名称: GaN薄膜
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:
        • 浏览次数: 367

         

        产品名称:

        氮化镓(GaN)薄膜

        产品简介:

        氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。在HVPE过程中,盐酸反应生成GaCl,而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化镓单晶基板。

         

         

         

         技术参数:

        常规尺寸

        dia50.8±1mm  x 4um,10-25um.

        dia100±1mm  x 4um,10-25um. <0001>±1° N型

        注:可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。

        产品定位 C轴<0001>±1°
        传导类型 N型;半绝缘型;P型
        电阻率 R<0.05 Ohm-cm;半绝缘型R>106 Ohm-cm
        位错密度 <1x108 Cm-2
        表面处理(镓面) AS Grown
        有效值 <1nm
        可用表面积

        >90%

        标准包装:

        1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

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