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        产品详情
        • 产品名称: InP晶体基片
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:
        • 浏览次数: 652

         

        产品名称:

        磷化铟(InP)晶体基片

         

        技术参数:

        单晶

        InP

        掺杂

        None;Sn;S;Fe:Zn

        硬度

        3.0莫氏硬度

        密度 4.78 g/cm3

        导电类型

        N;N;N;Si;P

        折射率 3.45

        载流子浓度cm-3

        1-2x1016     1-3x1018
        1-4x1018     .6-4x1018

        位错密度cm-2

        <5x104

        生长方法

        LEC

        温度 1072℃

        弹性模量

        7.1E11dyn  Cm-2

        产品规格:

        标准尺寸:<100>, dia2"x0.5mm,单抛;

                  <100>, 10x10x0.5mm,单抛;

        表面粗糙度Ra:<15A

         

        晶向:<100>、<111>

        注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

        标准包装: 1000级超净室,100级超净袋封装

         

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