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        光学级掺镁铌酸锂（MgO:LiNbO3） 晶片

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        • 产品名称： 光学级掺镁铌酸锂（MgO:LiNbO3） 晶片
        • 产品提示： 图片及数据仅供参考，具体请致电销售热线
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        产品名称： 光学级掺镁铌酸锂（MgO:LiNbO3)晶片
        产品简介：  纯同成份铌酸锂晶体最大的缺点是抗激光损伤阙值很低，这限制了它的应用领域。当掺入5mol%MgO后，所生长MgO:LN晶体的抗激光损伤阙值提高1-2个数量级，极化反转电压从21KV/mm降至6KV/mm，紫外吸收边紫移至310mm，OH-吸收峰红移至3535cm-1,这些变化极大的拓展了LN晶体的应用范围。


         

         

         

         

         

        产品规格：

         

        轴向： Z cut （+/-0.2°）
        直径：

         76.2mm(+/-0.3mm）
        基准面：

         22mm(+/-2mm）
        厚度：

         500um(+/-5um）/1000um(+/-5um）
        晶片背面： 双面抛光
        TTV： ≤6um
        WARP： ≤20um
        浓度： 4.9-6mol%
        边缘倒角： edge rounding
             
        标准包装： 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

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