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        产品详情
        • 产品名称: GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:
        • 浏览次数: 324

        2英寸直径、有机金属化学气相沉积法(MOCVD)沉积在未掺杂的GaAs (半绝缘)(100)晶向基片上的GaAs GaAs / AlGaAs薄膜

         

        基底

        砷化镓取向:

        (100)

        掺杂与绝缘:

        未掺杂,半绝缘

        晶圆尺寸:

        2英寸直径

        电阻率:

        1x10^7ohm.cm

        抛光:

        单面抛光

        EPD:

        <1x10^4 /cm^2

        外延薄膜

        第一层:

        薄膜厚度1.0um  晶格匹配: Al(0.25)Ga(0.75)As: (100)

        第二层(最上层):

        顶层:GaAs膜厚130nm  GaAS N型号掺Si <100> ,载流子浓度:(Top) Layer 2: 130 nm, n-type GaAs:Si[100], Nc: (0.1-1)x10^18 /cc

        背面:

        背面我们可以预期沉积,但是我们不能保证表面相同的质量和粗糙度

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

        标准包装,开盒即用:

                                                                 型号及参数

        掺杂元素

        类型

        载流子浓度( cm-3)

        流动性( cm2/V.Sec)

        电阻率( ohm-cm )

        EPD(cm-2)

        未掺杂

        N

        7.5-9.5  x1015

        4300-4400

        1.6E-1-4.5E-1

        <5000

        Sn

        N

        0.5~1.0 x1018

        0.5~1.0 x1018

        200 ~ 2400

        1500 ~ 2000

        0.001~0.002

        0.0025~0.007

        3~5 x104

        Zn

        P

        0.8~2.0 x1018

        2.5~4.0 x1018

        2500 ~ 3500

        1300 ~ 1600

        0.0025~0.006

        1~3 x104

        Fe

        半绝缘

        N/A

        1550-1640

        (2.1-2.7)x107

        <5000

         

         

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