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        产品详情
        • 产品名称: InP上镀InGaAs薄膜(进口料Epi: Lattice matched p-type InGaAs:Zn)
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        • 产品型号:
        • 浏览次数: 182

        产品名称:

        InP上镀InGaAs薄膜(进口料Epi: Lattice matched p-type InGaAs:Zn)

        常规尺寸:

        dia 2;单抛

        标准包装:

        技术参数:

        1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装  

        InP晶向:

        <100>±0.5°with one flat 

        InP掺杂类型:

        不掺杂

        InP尺寸:

        dia 2inch x 0.35mm ±25um

        Nc:

        < 1E16/cc

        EPD:

        <1E4

        薄膜参数:

        In/Ga alloy layer of P type InGaAs:Zn(100), Nc=1E17 -1E18/cc.

        薄膜厚度:

        1.0 um (+/- 5%)

        抛光情况:

        单抛

        表面粗擦度:

        Roughness of epi-layer is close to 1 mono-layer (ML)

         

         

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