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        产品详情
        • 产品名称: Si+Si3N4薄膜(进口料Silicon Nitride Film (PE-CVD) on Front Polished Side of Silicom Wafer P type doped B)
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:
        • 浏览次数: 238

        产品名称:

        Si+Si3N4薄膜(进口料Silicon Nitride Film (PE-CVD) on Front Polished Side of Silicom Wafer P type doped B)

        常规尺寸:

        dia 4" +/- 0.5 mm x  0.525 +/- 0.025 mm

        标准包装:

         

        技术参数:

         

        1000级超净室100级超净袋真空包装、单片盒或插盒

         

        Si参数:

         

        晶向:<100>±0.5°;

        掺杂类型:P型掺B;

        电阻率:<0.02 ohm-cm

        抛光:单抛;

        Si3N4参数:

         

        生长方法:low stress PE-CVD method

        薄膜厚度:100nm  +/- 8%

        镀膜情况:Si3N4 covers front polished side of Silicon wafer ONLY

         

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