上一页： Si+GaN薄膜（dia2"进口料）
产品名称：
Si片外延GaN膜 dia4"
产品简介：
技术参数：
GaN厚度：
0.5μm ± 0.1 μm
Ga面参数(Ga-face)：
<1nm RMS, As-grown, Epi-ready
背面参数：
as received
GaN晶向：
C-plane (00.1)
极性（Polarity）：
Ga-face
导电类型：
Undoped (N-)
宏缺陷密度：
<5/cm^2
Si基底参数：
Si [111], N /P ，R: 1-5 ohm-cm；
或 P/B R<0.005 ohm.cm；
产品规格：
dia4"x 0.525mm，单抛
标准包装：
1000级超净室100级超净袋真空包装和单片盒装
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