上一页: Si+GaN薄膜(dia2"进口料)
产品名称:
Si片外延GaN膜 dia4"
产品简介:
技术参数:
GaN厚度:
0.5μm ± 0.1 μm
Ga面参数(Ga-face):
<1nm RMS, As-grown, Epi-ready
背面参数:
as received
GaN晶向:
C-plane (00.1)
极性(Polarity):
Ga-face
导电类型:
Undoped (N-)
宏缺陷密度:
<5/cm^2
Si基底参数:
Si [111], N /P ,R: 1-5 ohm-cm;
或 P/B R<0.005 ohm.cm;
产品规格:
dia4"x 0.525mm,单抛
标准包装:
1000级超净室100级超净袋真空包装和单片盒装
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