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        产品详情
        • 产品名称: 锑化铟(InSb)晶体基片
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        • 产品型号:
        • 浏览次数: 709

         

        产品名称: 锑化铟(InSb)晶体基片
        产品简介:  
        技术参数:
         单晶  InSb
         掺杂  None;Te;Ge
         导电类型  N;N;P
         载流子浓度cm-3  1-5x1014   1-2x1015        
         位错密度cm-2  <2x102
        产品规格:
        标准尺寸:2"x0.5mm,
         
        表面粗糙度Ra:<15A
                
        注:可按客户需求定制特殊的方向和尺寸。
        标准包装: 1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

         

         

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