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        产品详情
        • 产品名称: 砷化镓(GaAs)晶体基片
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:
        • 浏览次数: 1733

        产品名称:

        砷化镓(GaAs)晶体基片

        产品简介

         

        技术参数:

        单晶

        砷化镓(GaAs)

        掺杂:

        None;Si;Cr;Te;Zn

        导电类型:

        Si;N;Si;N;P

        载流子浓度cm-3:

        /> 5x1017     /~2x1018    >5x1018

        位错密度cm-2:

        <5x105

        生长方法及最大尺寸:

         LEC & HB Ø3"

         

        常规尺寸:

        常规晶向:<100>、

        常规尺寸:10x10x0.5mm;dia2″x0.5mm;

        抛光情况:单抛或双抛;

        表面粗糙度Ra:<15A;

        注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

        备注:

        1000级超净室100级超净袋

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