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        产品详情
        • 产品名称: AL2O3+GaN薄膜(P型掺Mg, R:3-5Ω-cm)
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:
        • 浏览次数: 134

        产品名称:

        Al2O3+GaN外延薄膜(Mg-doped P-type GaN Epitaxial Template on sapphire)

         

        技术参数:

        Al2O3参数:

        c-Axis (0001) off angle 0.2O±0.1 @ M-plane,dia50.8 mm ± 0.25 mm,单抛

        GaN厚度:

        3.0 um +/- 10%

        电阻率:

        3- 5 Ω-cm

        载流子浓度:

        1x10^17 ~3x10^18/cm3

        空穴迁移率:

        20cm-2/V

        RMS:

         <1nm

        FWHM of RC for(002):

        ~~350 arcsec

        FWHM of RC for(102):

        ~~450 arcse

         

        标准包装:

        1000级超净室100级超净袋真空包装和单片盒装

         

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