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        产品详情
        • 产品名称: GaP晶体基片
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        • 产品型号:
        • 浏览次数: 343

        产品名称:

        磷化镓(GaP)晶体基片  

         

        技术参数:

        晶体结构:

        立方         a =5.4505 Å

        生长方法:

        提拉法

        密度:

        4.13  g/cm3

        熔点:

        1480  oC

        热膨胀系数:

        5.3 x10-6  / oC

        掺杂物质:

        掺S              不掺杂

        方向:

        <111>or<100>     <100>or<111>

        类型:

        N                 N

        热传导率:

        2~8 x1017/cm3       4~ 6 x1016/cm3

        电阻率W.cm

        ~0.03             ~0.3

         EPD (cm-2 )

        < 3x105            < 3x105

         

        产品规格:

        晶体方向:<111><100>±0.5

        常规尺寸:dia2"x0.35mm ;dia2"x0.43mmdia3"x0.3mm ;

         

        标准包装:

        1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

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