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        产品详情
        • 产品名称: GaSb晶体基片
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:
        • 浏览次数: 378

         

        产品名称: 锑化镓(GaSb)晶体基片
        技术参数:

        单晶:

        GaSb

        掺杂:

        none;None, high R;Zn;Te;Te, high R

        导电类型:

        P   P-    P+    N

        载流子浓度
        cm-3  :

        1-2x1017     1-5x1016     1-5x1018
        2-6x1017     1-5x1016

        位错密度
        cm-2  :

        <103

        生长方法及
        最大尺寸 :

        LEC Ø 3"

        产品规格:
        标准尺寸:<100>, dia2"x0.5mm, 单抛,
        表面粗糙度Ra:<15A              
        可按客户需求定制相应的方向和尺寸。
        标准包装: 1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

         

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