近期发现有不良公司及网站假冒科晶品牌,销售本公司高质量或专利产品。请购买者提高警惕,认准科晶品牌,遇可疑现象及时与本公司联系

 

设备产品
快速导航

 

 

 

        产品详情
        • 产品名称: SOI基片(Si+SiO2+Si)
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:
        • 浏览次数: 344

        产品名称:SOI基片(Si+SiO2+Si)

         

        常规尺寸:dia4" 

         

        镀膜层:20um Si P/B + 2umSiO2+500um Si undoped

         

        技术参数:

        1.国产SOI

        ①顶层2um±0.5(5点), BOX层2um±0.1 ,  P型,总厚度大约621um, 平整度LTV < 1um

        ②顶层3um±0.5(5点), BOX层2um±0.1,P型,总厚度大约622um, 平整度LTV < 1um

         电阻率15-25 ohm.cm, 总厚度在625um左右

         

        常规参数:

        SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅) φ6″*0.625-<100>/<110>镀2umSiO2层镀2umSi层-1sp
        SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅) φ4″*0.525-<100>/<110>镀0.375umSiO2层镀0.2umSi层-1sp
        SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅) φ4″*0.525-<100>/<110>镀0.375umSiO2层镀1umSi层-1sp
        SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅) φ6″*0.525-<100>/<110>镀0.375umSiO2层镀1umSi层-1sp
        SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅) φ6″*0.675-<100>镀0.375umSiO2层镀0.1umSi层-1sp
        SOI(Si硅+SiO2二氧化硅+Si硅) φ6″*0.675-<100>镀3umSiO2层镀220nmSi层-1sp

         

        2.进口SOI参数:

        点击查看:http://mtixtl.com/soiwafersilicononinsulator.aspx

        更多参数,欢迎垂询!

         

         相关产品:

        Thin Films  A-Z

        Crystal wafer A-Z

        等离子清洗机

        基片包装盒系列

        切割机

        薄膜制备设备

        下载附件:

        相关产品
        无此相关商品!
        皖ICP备05009081号     页面版权所有:合肥科晶材料技术有限公司          集团链接
        传真:0551-65592689(晶体) 0551-65593657(设备)设备售后服务电话:0551-65595008 短信群发