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产品名称：
砷化铟（InAs）晶体
产品简介：
技术参数：
晶体结构：
立方 a =5.4505 Å
生长方法:
CZ
导电类型：
N型
掺杂类型：
不掺杂
载流子浓度：
2 ~ 5E16 / cm3
迁移率：
>18500cm2/V.S
常规尺寸：
常规晶向：<100>、<111>；
常规尺寸：10x10x0.5mm;
dia2″x0.5mm;抛光情况：单抛或双抛;
表面粗糙度Ra:<15A
注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。
备注：
1000级超净室100级超净袋
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