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产品名称:
砷化铟(InAs)晶体
产品简介:
技术参数:
晶体结构:
立方 a =5.4505 Å
生长方法:
CZ
导电类型:
N型
掺杂类型:
不掺杂
载流子浓度:
2 ~ 5E16 / cm3
迁移率:
>18500cm2/V.S
常规尺寸:
常规晶向:<100>、<111>;
常规尺寸:10x10x0.5mm;
dia2″x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;
表面粗糙度Ra:<15A
注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。
备注:
1000级超净室100级超净袋
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