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磷化铟(InP)晶体基片
技术参数：
单晶
InP
掺杂
None；Sn；S；Fe：Zn
3.0莫氏硬度
导电类型
N；N；N；Si；P
载流子浓度cm-3
1-2x1016 1-3x1018 1-4x1018 .6-4x1018
位错密度cm-2
<5x104
生长方法
LEC
弹性模量
7.1E11dyn Cm-2
标准尺寸：<100>, dia2"x0.5mm,单抛;
<100>, 10x10x0.5mm,单抛；
表面粗糙度Ra：<15A
晶向：<100>、<111>
注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。
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