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磷化铟(InP)晶体基片
技术参数:
单晶
InP
掺杂
None;Sn;S;Fe:Zn
3.0莫氏硬度
导电类型
N;N;N;Si;P
载流子浓度cm-3
1-2x1016 1-3x1018 1-4x1018 .6-4x1018
位错密度cm-2
<5x104
生长方法
LEC
弹性模量
7.1E11dyn Cm-2
标准尺寸:<100>, dia2"x0.5mm,单抛;
<100>, 10x10x0.5mm,单抛;
表面粗糙度Ra:<15A
晶向:<100>、<111>
注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。
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