近期发现有不良公司及网站假冒科晶品牌,销售本公司高质量或专利产品。请购买者提高警惕,认准科晶品牌,遇可疑现象及时与本公司联系

 

设备产品
快速导航

 

 

 

        产品详情
        • 产品名称: SiC晶体基片
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:
        • 浏览次数: 1787

        产品名称:

        碳化硅(SiC)晶体基片

        技术参数:

        晶胞结构

         六方

        晶格常数

         a =3.08 Å      c = 15.08 Å

        排列次序

         ABCACB  (6H)

        生长方法

         MOCVD

        方向

         生长轴或偏(0001) 3.5°

        抛光

         Si面抛光

        带隙

         2.93 eV (间接)

        导电类型

         N

        电阻率

         0.076 ohm-cm

        介电常数

         e(11) = e(22) = 9.66     e(33) = 10.33

        热导率@300K

         5 W / cm . K

        硬度

         9.2 Mohs



         

        产品规格:

        掺杂类型:6H N型 <0001> 表示专门掺N的掺杂浓度10E18-10E194H N型半绝缘
        常规尺寸:dia2"x0.33mm,  dia3"x0.35mm, 10x10mm,10x5mm

        抛光情况:单抛或双抛

        表面粗糙度:Ra<10A

        常规晶向 :<0001>现可供应<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm,单抛 一种低电阻率(0.01~0.1 ohm.cm),一种是高电阻率(>10^5 ohm.cm)

         

        标准包装:

        1000级超净室100级超净袋包装或单片盒、插盒装

         

        相关产品:

        薄膜基片

        A-Z系列晶体列表

        清洗机

        基片包装盒系列

        划片机

        旋转涂层机

        下载附件:

        相关产品
        无此相关商品!
        皖ICP备05009081号     页面版权所有:合肥科晶材料技术有限公司          集团链接
        传真:0551-65592689(晶体) 0551-65593657(设备)设备售后服务电话:0551-65595008 短信群发