上一页： Al2O3+GaN薄膜 （国产）
下一页： AL2O3+GaN薄膜(进口GaN Epitaxial Template( N-type Fe-doped) on Sapphire)
产品名称：
AL2O3+GaN 薄膜（进口料）
产品简介：
MOCVD方法制作AL2O3为衬底的GaN外延薄膜。国外进口材料，品质优质，欢迎选购。
技术参数：
产品名称:
GaN <0001> 厚度4.5um
GaN <0001> 厚度2um ，3um
掺杂类型:
N /Si
P/Mg
常规尺寸：
dia2" +/-0.25mm；
电阻:
2.5E-3ohm-cm
2.0-5.0
载流子浓度：
1E19/cc
/
产品规格：
常规规格：dia2″
标准包装：
1000级超净室100级超净袋或单片盒包装
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