上一页: Al2O3+GaN薄膜 (国产)
下一页: AL2O3+GaN薄膜(进口GaN Epitaxial Template( N-type Fe-doped) on Sapphire)
产品名称:
AL2O3+GaN 薄膜(进口料)
产品简介:
MOCVD方法制作AL2O3为衬底的GaN外延薄膜。国外进口材料,品质优质,欢迎选购。
技术参数:
产品名称:
GaN <0001> 厚度4.5um
GaN <0001> 厚度2um ,3um
掺杂类型:
N /Si
P/Mg
常规尺寸:
dia2" +/-0.25mm;
电阻:
2.5E-3ohm-cm
2.0-5.0
载流子浓度:
1E19/cc
/
产品规格:
常规规格:dia2″
标准包装:
1000级超净室100级超净袋或单片盒包装
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