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        产品详情
        • 产品名称: Cd1-xZnxTe晶体基片
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:
        • 浏览次数: 103

         

        产品名称:

        Cd1-xZnxTe晶体基片

        产品简介:

        II - VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。

        技术参数:
        晶体名称: Cd 1-x ZnxTe  
        生长方法: Bridgeman
        结构: 立方
        晶格常数(A): a=6.486
        密度 ( g/cm3):

        5.851 

        熔点 (oC): 1045
        热容  (J /g.k): 0.210
        热膨胀系数(10-6/K): 5.0
        产品规格:

        常规晶向:<111>;

        常规尺寸:10x10x0.5mm、10x10x1.0mm;

        抛光情况:细磨、单抛、双抛;

        常规电阻率:R>1x10^6 Ω.cm;

        注:可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。

        标准包装: 1000级超净室100级超净袋

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