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        产品详情
        • 产品名称: In:ZnO晶体基片
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        • 产品型号:
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        产品名称:

        In:ZnO晶体基片

         

         

         

        技术参数:

         

         晶体结构 六方   a= 3.252 A ,  c = 5.313 A
         生长方法 Melt
         硬度 4 moh scale
         密度 ~5.0 g/cm3
         熔点 1975 oC
         带隙 3.37 eV
         比热容 0.125 cal/gm
         传导性 N type
         电阻率 0.04 ohm-cm  +/-  factor of 2 , N type
         导热系数 0.006 cal/cm/ oK
         热膨胀系数 2.90 x 10-6/oK
         位错密度 < 4 x 104 /cm2
         表面粗糙度 < 5 A
         厚度 0.35mm;  0.50mm  and  1.0mm

         

        产品规格:

        常规晶向:氧化锌 <0001> , N+ type, 掺杂;

        常规尺寸:Ф25.4× 0.3mm、10x10 mm 、5 x 5 mm ;

        厚度: 0.35 mm,  0.5 mm   and 1.0 mm ;

        掺杂浓度: > 4E18 cm^-3;

        电阻率:小于1 × 10 ^ -3Ω.cm;

        注:可根据客户需求定制特殊的方向和大小

        标准包装: 1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

         

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