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        产品详情
        • 产品名称: Hg(1-x)Cd(x)Te晶体基片
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        • 产品型号:
        • 浏览次数: 231

         

        产品名称: Hg(1-x)Cd(x)Te晶体基片
        产品简介:

        II - VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。

        技术参数:

        晶体名称

        Hg(1-x)Cd(x)Te晶体基片

        晶向

        <100>

        具体电阻率

        > 10^7 ohm-cm

        载流子浓度@ 77K

        3E14/cm 3   

        电子迁移率@77K

        1.5E5 cm^2/(V.s)

        切割波长@77K

        from 3 micron to 40 micron

        切割波长@300K 

        from 3 micron to 40 micron

        抛光

        双方抛光

        划痕/点

        60/40

        产品规格:

        Hg(1-x)Cd(x)Te, x=0.17 <111>, Undoped ,N-type 10x10x0.5 mm, 2sp

        Hg(1-x)Cd(x)Te, x=0.17 (111), Undoped ,N-type, dia15x0.5mm, 2sp

        Hg(1-x)Cd(x)Te, x=0.43 (111), Undoped ,N-type, dia15x0.5mm,2sp 

        注:可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。

        标准包装: 1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

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