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        产品详情
        • 产品名称: SiC 3C薄膜
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:
        • 浏览次数: 271

        Specifications:

        • Film:  SiC Epi film with 3C structure grown by PECVD
          • Thickness: 1.26 micron  +/- 10%   (can be grown up to 20 micron th; the price would be increased with the requested film thickness)
          • Orientation: 3C SiC (100)
          • Surface: CMP  ( film chemical mechanical polished ) on both sides with Ra < 5 Angstrom
          • Target doping level:  < 1.0E16 /cc 
          • Type and dopant:  N type, Undoped
          • Surface defects density (microscopic inspection of crystallites or other macro-defects) <= 3E3cm^2
        • Silicon substrate:   
          • Size: 10mm x 10mm x 0.525 mm thickness 
          • Orientation: (100)
          • Type:  P type / B doped  ( N type is available as well) 
          • Resistivity: 1- 5 ohm.cm
          • Polish: one side polished

         

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