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        产品详情
        • 产品名称: 氧化硅(SiO2)晶体基片
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:
        • 浏览次数: 386

        产品名称:

        氧化硅(SiO2)晶体基片

        产品简介:

        氧化硅(SiO2)单晶水晶片是一种极好的基片用于无线通讯工业的微波滤波器,科晶公司可以为研究和工业生产提供高质量最低价格的水晶片,真诚欢迎您的垂询!

        技术参数:

        晶体结构:

        六方     a= 4.914 Å   c = 5.405 Å

        生长方法:

        水热

        硬度:

        7.0   Mohs

        密度:

        2.684   g/cm3

        熔点:

        1610 C( 相转变点:573.1oC)

        热容:

        0.18  cal/gm

        热电常数:

        1200 mV /C @ 300 C

        热导率:

        0.0033  cal/cm/ o C

        热膨胀系数 (x10-6oC):

        a11: 13.71      a33:  7.48

        折射率:

        1.544

        Q值:

        1.8 x 106 min.

        声速声表:

        3160  ( m/sec  )

        频率常数:

        1661  ( kHz/mm )

        压电偶合:

        K2 (%)  BAW: 0.65  SAW:0.14       

        包裹物:

        IEC Grade II

        TTV:

        < 5 um

         

        产品规格:

        方向

        Y, X 或Z 切:在30o ~ 42.75o ± 5分范围内旋转任意值;

        主定位边:根据客户要求定方向± 30分 ;

        次定位边:根据客户要求定方向 ;

        籽晶:位于中心,宽度<5mm,高度>66mm.

         

        抛光面

        外延抛光:单抛或双抛Ra < 5 Å ;

        工作区域:基片直径-3mm ;

        弯曲度:φ3" < 20 um,φ4"< 30 um ;

        工作区域无崩边,在边缘,崩边宽度< 0.5 mm ;

        坑和划痕:每片<3,每100片<20 .

         

        标准厚度

        0.5 mm ± 0.05mm   

              

        标准直径

        dia2" (50.8mm )  dia3"(76.2mm)    dia4"(100mm)  ±0.5 mm

        主定位边:22 ± 1.5 mm (f 3" )     32 ± 3.0 mm ( f 4" )

        次定位边:10 mm ±1.5 mm

        注:可按照客户要求加工尺寸和晶向

        标准包装:

        1000级超净室100级超净袋包装或者单片盒以及25片插盒装

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