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        产品详情
        • 产品名称: InP上镀InGaAs薄膜(不掺杂,进口料)InGaAs EPI on InP
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        • 产品型号:
        • 浏览次数: 160

         

        产品名称:

        InP上镀InGaAs薄膜(不掺杂,进口料)InGaAs EPI on InP 

        常规尺寸:

         dia 2"  ;单抛

        标准包装:

        技术参数:

        1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装

         

        InP晶向:

        <100>

        掺杂类型:

        不掺杂;

        薄膜参数:

        Lattice matched In/Ga alloy layer of N-type InGaAs:Si<100>

        薄膜厚度:

        1.0um (+/- 20%)

        生长方法:

        MOCVD deposition

        抛光:

        单面抛光

        数据表:

         

        Dopant

        Type

        Carrier Concentration

        ( cm-3)

        Mobility

        ( cm2/V.Sec)

        Resistivity

        ( ohm-cm )

        EPD

        (cm-2)

        Undoped

        N

        7.5-9.5  x1015

        4300-4400

        1.6E-1-4.5E-1

        <5000

        Sn

        N

        0.5 ~1.0 x1018

        0.5 ~1.0 x1018

        200 ~ 2400

        1500 ~ 2000

        0.001 ~ 0.002

        0.0025~0.007

        3~5 x104

        Zn

        P

        0.8 ~ 2.0  x1018

        2.5 ~ 4.0 x1018

        2500 ~ 3500

        1300 ~ 1600

        0.0025 ~ 0.006

        1~ 3 x104

        Fe

        半绝缘

        N/A

        1550-1640

        (2.1-2.7) x107

        <5000

         

         

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