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        产品详情
        • 产品名称: Ge on Si 外延薄膜 (P型掺B)
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:
        • 浏览次数: 135

               产品名称

         Ge on Si薄膜(P型掺B Ge epi-film on P-type Silicon)

               产品简介

         

        技术参数

        Si基板参数:

        掺杂类型:

         P型掺B ;

        晶向:

        <100>

        尺寸:

        dia4"

        厚度:

        0.5-0.55mm

        电阻率:

        10-20Ω.cm

         Ge 外延薄膜参数:

        厚度:

         2um±3%

        晶向:

         <100>

        掺杂:

         N

        掺杂浓度:

        (1-5E19/cc

         

        产品规格:

        dia4"x0.5mm;10x10x0.5mm 

        标准包装

         1000级超净室100级超净袋真空包装和单片盒装

         

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