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        产品详情
        • 产品名称: 磷化铟(InP)晶体基片
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        • 产品型号:
        • 浏览次数: 539

        产品名称:

        磷化铟(InP)晶体基片

        产品简介

         

        技术参数:

        单晶

        InP

        掺杂

        None;Sn;S;Fe:Zn

        硬度

        3.0莫氏硬度

        密度

        4.78 g/cm3

        导电类型

        N;N;N;Si;P

        折射率

        3.45

        载流子浓度cm- 

        1-2x1016 1-3x1018 1-4x10186-4x1018

        位错密度cm-2 

        <5x104

        生长方法

        LEC

        温度

        1072℃

        弹性模量

        7.1E11dyn  Cm-2

         

        常规尺寸:

        常规晶向:<100>;

        常规尺寸:10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm;

        抛光情况:单抛或双抛; 

        表面粗糙度Ra:<15A

        注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

        备注:

        1000级超净室100级超净袋

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