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        产品详情
        • 产品名称: 磷化镓(GaP)晶体基片
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        • 产品型号:
        • 浏览次数: 499

         

        产品名称:

        磷化镓(GaP)晶体基片

        产品简介

         

        技术参数:

        晶体结构

        立方         a =5.4505 Å

        生长方法:

        提拉法

         密度:

        4.13  g/cm3

        熔点:

        1480 

        热膨胀系数

        5.3 x10-6

        掺杂物质

        掺S 不掺杂

        热传导率

        2~8 x1017/cm3 4~ 6 x1016/cm3

        电阻率W.cm

        ~0.03  ~0.3

        EPD (cm-2 )

         < 3x10E< 3x10E5

         

        常规尺寸:

        常规晶向:<111>;常规尺寸:10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛; 注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

        备注:

        1000级超净室100级超净袋

         

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