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        产品详情
        • 产品名称: InAs晶体基片
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:
        • 浏览次数: 199

        产品名称:

        砷化铟(InAs)晶体

        产品简介:

         

        技术参数:

        晶体结构

        立方  a =5.4505 Å

        生长方法:

        CZ

        导电类型:

        N型

        掺杂类型:

        不掺杂

        载流子浓度:

        2 ~ 5E16 / cm3 

        迁移率:

        >18500cm2/V.S 

         

        常规尺寸:

        常规晶向:<100>、<111>;

        常规尺寸:10x10x0.5mm;

        dia2″x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;

        表面粗糙度Ra:<15A

        注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

        备注:

        1000级超净室100级超净袋

         

         

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