功能纳米材料
下载附件：
产品名称：
Al2O3+GaN外延薄膜（Mg-doped P-type GaN Epitaxial Template on sapphire）
技术参数：
Al2O3参数：
c-Axis (0001) off angle 0.2O±0.1 @ M-plane，dia50.8 mm ± 0.25 mm,单抛
GaN厚度：
3.0 um +/- 10%
电阻率：
3- 5 Ω-cm
载流子浓度：
1x10^17 ~3x10^18/cm3
空穴迁移率：
20cm-2/V
RMS：
<1nm
FWHM of RC for(002)：
~~350 arcsec
FWHM of RC for(102)：
~~450 arcse
标准包装：
1000级超净室100级超净袋真空包装和单片盒装
相关产品：
A~Z系列晶体
A~Z系列薄膜
晶片包装盒系列
等离子清洗机
镀膜仪
MTI Corporation
沈阳科晶自动化设备有限公司
深圳市科晶智达科技有限公司
AA Portable Power Gorp
MTI-JAPAN
MTI-KOREA
中国化工仪器网
中国仪器信息网
阿里巴巴中文网站
陈工
