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产品名称:
Al2O3+GaN外延薄膜(Mg-doped P-type GaN Epitaxial Template on sapphire)
技术参数:
Al2O3参数:
c-Axis (0001) off angle 0.2O±0.1 @ M-plane,dia50.8 mm ± 0.25 mm,单抛
GaN厚度:
3.0 um +/- 10%
电阻率:
3- 5 Ω-cm
载流子浓度:
1x10^17 ~3x10^18/cm3
空穴迁移率:
20cm-2/V
RMS:
<1nm
FWHM of RC for(002):
~~350 arcsec
FWHM of RC for(102):
~~450 arcse
标准包装:
1000级超净室100级超净袋真空包装和单片盒装
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