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        • 产品名称: AL2O3+GaN薄膜(进口GaN Epitaxial Template( N-type Fe-doped) on Sapphire)
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:

        下载附件:

        产品名称:

        Al2O3镀GaN薄膜(进口GaN (0001)Epitaxial Template(N-type Fe-doped)on Sapphire)

        技术参数:

        GaN类型:

        N 型掺Fe,

        GaN 尺寸:

        dia 2 inch + 5um±1um

        GaN 电阻率:

        6-8 Ohm-cm

        GaN浓度:

        N/A

        极性Polarity:

        Ga-face

        宏观缺陷密度:

        <10 cm^-2

        Al2O3参数:

        <0001> A plane off cut 0.2°degreedia2,单抛

         

        产品尺寸:

        dia2 inch 

        标准包装:

        1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒

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