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        • 产品名称: InP上镀InGaAs薄膜 半绝缘)进口料 (InGaAs EPI on InP ,Semi-insulating)
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:

        下载附件:

         

        产品名称:

         InP上镀InGaAs薄膜 半绝缘 进口料(InGaAs EPI on InP,Semi-insulating)

        常规尺寸:

        dia 2" 

        标准包装:

         

        技术参数:

        1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装

        InP晶向:

        <100>

        掺杂类型:

        掺Fe ;半绝缘型

        电阻率:

        >1x10^7)ohm.cm

        InP EPD:

        <1x10^4 /cm^2

        薄膜参数:

        Lattice matched In/Ga alloy layer of N-type InGaAs(Si-doped)

        薄膜Nc:

        >2x10^18 /cc  

        薄膜厚度:

        0.5 um (± 20%)

        生长方法:

        MOCVD deposition

        抛光:

        双面抛光

        数据表:

        Dopant

        Type

        Carrier Concentration

        ( cm-3)

        Mobility

        ( cm2/V.Sec)

        Resistivity

        ( ohm-cm )

        EPD

        (cm-2)

        Undoped

        N

        7.5-9.5  x1015

        4300-4400

        1.6E-1-4.5E-1

        <5000

        Sn

        N

        0.5 ~1.0 x1018

        0.5 ~1.0 x1018

        200 ~ 2400

        1500 ~ 2000

        0.001 ~ 0.002

        0.0025~0.007

        3~5 x104

        Zn

        P

        0.8 ~ 2.0  x1018

        2.5 ~ 4.0 x1018

        2500 ~ 3500

        1300 ~ 1600

        0.0025 ~ 0.006

        1~ 3 x104

        Fe

        Semi-Insulating

        N/A

        1550-1640

        (2.1-2.7) x107

        <5000

         

         

          

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