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        • 产品名称: CdZnTe晶体基片
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:

        下载附件:

         

        产品名称:

        Cd1-xZnxTe晶体基片

        产品简介

        CdZnTe晶体是一种闪烁矿结构的连续固溶体,改变Zn的组分,其晶格常数在0.6100 -0.6482urn之间连续可调,能与不同波段的HgCdTe晶格常数精确匹配。因此CdZnTe晶体是目前公认的最佳HgCdTe衬底。

         

        产品特点:

        • 良好的导电性能;
        • 广发可调和直接带隙
        • 较高的吸收系数;
        • 与HgCdTe外延膜的晶格匹配性好;
        • 温和的热膨胀性

         

         

         

         

        技术参数:

        晶体名称 Cd 1-x ZnxTe  
        生长方法 Bridgeman
        结构  立方
        晶格常数(A) a=6.486
        密度 ( g/cm3)

        5.851 

        熔点 (oC) 1045
        热容  (J /g.k) 0.210
        热膨胀系数(10-6/K) 5.0
        类型 P-型
        组成 y=4±0.5%
        红外透过率 >60% (2um-25um)
        腐蚀坑密度 <1e5
        X射线摇摆曲线半峰宽 <30弧秒

         

        产品规格:

        常规晶向:<111> 或者<211>,B面,±0.5度

        尺寸:15x15mm;15x20mm;20x20mm;

              20x25mm;25x30mm;30x30mm;

              厚度1mm。

        注:可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。

        标准包装: 1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
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