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        • 产品名称: Al2O3+AlN薄膜
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:

        下载附件:

        产品名称:

        氮化铝(AlN)薄膜

         

        产品简介:

        AlN Epitxial范本saphhire提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。氮化铝薄膜又是成本效益的方法,用来取代氮化铝单晶衬底。科晶真诚欢迎您的垂询!

         

        技术参数:

        蓝宝石衬底取向:

        c轴(0001)±1.0deg

        衬底:

        Al2O3;SiC;GaN;

        薄膜厚度:

        10-5000nm

        导电类型:

        半绝缘型

        位错密度:

        XRD FWHM of <0002><500arcsec

        XRD FWHM of <10-12><1500arcsec;

        有效面积:

        >80%

         

        产品规格:

        氮化铝(蓝宝石衬底):dia2"±1mm x1500nm±10%,单抛;

        注:可根据客户需求定制特殊的方向和尺寸。

         

        标准包装:

        1000级超净室100级超净袋

         

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