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        • 产品名称: Ge晶体基片
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:

        下载附件:

        产品名称

        Ge晶体基片

        产品简介

        化学符号为Ge ,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。

        产品参数

         

         

         

         

        晶体结构:

        立方:a = 5.6754 Å

        生长方法:

        提拉法;

        密度:

        5.765 g/cm3 ;

        熔点:

         937.4 

        热传导性:

        640;

        掺杂物质:

        不掺杂;掺Sb;掺InGa

        类型:

        l/NP

        电阻率W.cm

        >35;0.050.05-0.1

        EPD:

         < 4x103/cm2   < 4x103/cm2   < 4x103/cm2

         

        产品规格:

          晶体方向:<111>,<100> and <110>±0.5° 或者特殊方向

         

          标准尺寸:dia1"x0.5mm and dia2"x0.5mm and dia4"x0.5mm

         

          表面抛光:细磨、单抛、双抛

         

          晶体粗糙度:<100>和<111> Ra<5A,(<110> Ra<5A,不化抛

         

          可根据客户要求提供特殊尺寸和方向的基片

        标准包装

         

        1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

         

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