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        • 产品名称: 4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 P 型( 4H-SiC Epitaxial Film on 4H-SiC, P type)
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:

        下载附件:

        产品名称:

        4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型(4H-SiC Epitaxial Film on 4H-SiC, P type)

        常规尺寸:

        dia4" ±0.5 mm  x 0.525 ±0.025 mm 

        技术参数:

        4H-SiC薄膜晶向:

        <0001>

        4H-SiC薄膜厚度(film target thickness):

        4.3um ±10%

        4H-SiC薄膜厚度(film target doping layer) :

        1.4E17/cc +0% /- 30%

        载流子浓度:

        (3~ 10)E16 /cc

        导电类型:

        P

        抛光情况:

        双面抛光

        4H-SiC基片晶向:

        <0001>miscut 8.0 +/- 0.5 degree,parallel10-10)

        OF length: 15.9 +/- 1.7 mm

        4H-SiC基片尺寸:

         dia 2 inch x330±25un

        IF orientation :

        90 degree cw. from OF +/- 5 degree

        IF length:

        8.0 +/- 1.7 mm

        4H-SiC基片电阻率:

        < 0.03 ohm-cm

        4H-SiC抛光:

        SiCMP单抛

        边缘排除:

        1mm

         

        标准包装:

        1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装

         

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