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        • 产品名称: PMN-PT晶体基片
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:

        下载附件:

        产品名称:

        PMN-PT晶体基片

         

        产品简介:

        用改进的Bridgman法生长出了高质量的大尺寸弛豫铁电单晶PMNT,该单晶具有优异的压电性能、非线性光学性能和热释电性能,不仅可以满足应用需要成为新一代高性能压电换能器、非线性光学器件和光电探测器件(如红外探测器)的核心材料,而且还为广大的科研人员提供了良好的研究载体,欢迎国内外各科研院所和公司企业定购我们的单晶产品,进行相关的科学研究及器件研发和生产。

         

        技术参数:

        化学分子式:

        (PbMg0.33Nb0.67O3 )1-x:(PbTiO3)x

        结构:

        R3mRhombohedral

        晶格:

        a0 ~4.024Å(pseudo-cubic, varies with composition )

        熔点:

        1280 oC

        密度:

        8.1 g/cm3

        压电系数d33      

        >2000 pC/N

        轴接常数

        k33   (longitudinal mode)                >92%              

        kt     (thickness mode)              59-62%            

        k33’   (beam mode)                       84-88%

        介电常数e  

        4000 – 6000 (at 1kHz after poling) 

        介电损耗

        tan d<0.9

        居里温度:

        135-150°C

        矫顽场大概

        2-3kV/cm 

        标准尺寸

        25× 25× 1mmplates along [001]

         

        产品规格:

        常规晶向:<100>, <001>, <111>

        晶向公差:+/-0.5度

        常规尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm,dia20x0.5mm

        抛光情况:单抛或双抛,Ra<5A

        注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

         

        典型性能

        产品名称:

        PMN-PT <001> 

        密度:

        8.1g/cm3

        压电常数d33:

        1800-2400 Pc/N

        耦合系数:

        0.6-0.65Kt

        耦合系数:

        0.9-0.0.95kp

        介电常数:

        5000-7000

        损耗:

        <1

        居里温度:

        145+/-3℃Zggx10(6)kg/m2s:29

         

        标准包装:

        1000级超净室,100级超净袋封装

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