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        • 产品名称: Al2O3+GaN薄膜 (国产)
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:

        下载附件:

        产品名称:

        Al2O3+GaN薄膜 (国产)

        产品简介:

         

        技术参数:

        掺杂类型:

        N type

        半绝缘型

        P type

        产品定位边:

        C轴<0001>+/-1.0°

        常规尺寸:

        dia2"

        dia2"

        dia2"

        厚度:

        15um,20um,30um,40um

        30um,90um

        4um, 5um

        电阻(300K):

        <0.05Ω.cm

        >106 Ω.cm

        <0.05Ω.cm

        位错密度:

        <1x108 cm-2

        <1x108 cm-2

        <1x108 cm-2

        衬底结构:

        GaN on Sapphire

        GaN on Sapphire

        GaN on Sapphire

        有效面积:

        >90%

        >90%

        >90%

        抛光:

        单抛或者双抛

        单抛或者双抛

        单抛或者双抛

        产品规格

        常规规格:dia2″

        标准包装:

        1000级超净室100级超净袋或单片盒包装

         

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