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        • 产品名称: Ga:ZnO晶体基片
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:

        下载附件:

         

        产品名称:

        Ga:ZnO晶体基片

        产品简介:

        II - VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。

        技术参数:

        晶体结构:

        六方   a= 3.252 A ,  c = 5.313 A

        生长方法:

        Melt

        硬度:

        4 moh scale

        密度:

        ~5.0 g/cm3

        熔点:

        1975 oC

        带隙:

        3.37 eV

        比热容:

        0.125 cal/gm

        传导性:

        N type

        电阻率:

        0.04 ohm-cm  +/-  factor of 2 , N type

        导热系数:

        0.006 cal/cm/ oK

        热膨胀系数:

        2.90 x 10-6/oK

        位错密度:

        < 4 x 104 /cm2

        表面粗糙度:

        < 5 A

        厚度:

        0.35mm;  0.50mm  and  1.0mm

         

        产品规格:

        Ga:ZnO <0001> N+ type,镓掺杂,10x10x0.5mm锌面抛光;

        Ga:ZnO <0001> N+ type,镓掺杂,5x5x0.5mm锌面抛光 

        注:可按照客户要求加工尺寸及方向。

        标准包装:

        1000级超净室100级超净袋

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