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        • 产品名称: Cd1-xZnxTe晶体基片
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:

        下载附件:

         

        产品名称:

        Cd1-xZnxTe晶体基片

        产品简介:

        II - VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。

        技术参数:

        晶体名称

        Cd 1-x ZnxTe  

        生长方法

        Bridgeman

        结构

          立方

        晶格常数(A)

        a = 6.483 – 6.446

        密度 ( g/cm3)

        5.605

        熔点 (oC)

        1975

        热容  (J /g.k)

        0.125

        热膨胀系数(10-6/K)

        6.5 // a  3.7 // c

        类型

        P-

        导热系数( W /m.k at 300K )

        30

        透明波长(μ

        0.4 ~ 0.6

        电阻率(ohm-cm)

        低 R: 5x104  高: R:> 106

        载体浓度(cm-3

        低 R: ~ 1015  高: R: ~ 1012

         

        产品规格:

        常规晶向:<111>;

        常规尺寸:10x10x0.5mm、10x10x1.0mm;

        抛光情况:细磨、单抛、双抛;

        常规电阻率:R>1x10^6 Ω.cm;

        注:可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。

        标准包装: 1000级超净室100级超净袋
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