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        • 产品名称: 碳化硅(SiC)晶体基片
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:

        下载附件:

        产品名称:

        碳化硅(SiC)晶体基片

        产品简介:

           

        技术参数:

         晶胞结构

         六方

         晶格常数

         a =3.08 Å      c = 15.08 Å

         排列次序

         ABCACB  (6H)

         生长方法

         MOCVD

         方向

         生长轴或偏(0001) 3.5°

         抛光

         Si面抛光

         带隙

         2.93 eV (间接)

         导电类型

         N

         电阻率

         0.076 ohm-cm

         介电常数

         e(11) = e(22) = 9.66     e(33) = 10.33

        热导率@300K

         5 W / cm . K

         硬度

         9.2 Mohs

         

        产品规格:

        常规晶向: <0001>;

        掺杂类型: 6H N型 表示专门掺N的,掺杂浓度10E18-10E19;

                  4H N型 或者半绝缘;
        常规尺寸:dia2"x0.33mm、dia2"x0.43mm; dia3"x0.35mm、                 10x10mm、10x5mm;

        抛光情况:单抛或双抛,Ra<10A;

        我司现可供应<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm,单抛 一种低电阻率(0.01~0.1 ohm.cm),一种是高电阻率(>10^5 ohm.cm)

        标准包装:

         1000级超净室100级超净袋或单片盒封装

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