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        • 产品名称: Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")
        • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
        • 产品型号:

        下载附件:

        产品名称

        Si片外延AlN膜

        产品简介

        Si片外延AlN膜是通过HVPE方法生长,其实验衬底效果已日渐取代AlN单晶基片

        技术参数

        AlN厚度

        200nm ±10%, 单面镀膜

        正面

         <2nm RMS,    as-grown

        背面

        silicon as received

        AlN晶向

        (00.2)      

        宏缺陷密度

        <10/cm^2

        薄膜衬底:

        Si [111] N type,  dia 4"  x0.5 mm, res: 1~10 ohm-cm, 单抛

         

        常规尺寸:

        dia 4" x0.5 mm,单抛;

        标准包装

        1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

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