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  • 产品名称: 锑化镓(GaSb)晶体基片
  • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
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产品名称: 锑化镓(GaSb)晶体基片
产品简介:  
技术参数:

单晶

GaSb

掺杂

none;None, high R;Zn;Te;Te, high R

导电类型

P   P-    P+    N

载流子浓度
cm-3

1-2x1017     1-5x1016     1-5x1018
2-6x1017     1-5x1016

位错密度
cm-2

<103

生长方法及
最大尺寸

LEC  Ø 3"

产品规格:
标准尺寸:<100>, dia2"x0.5mm,
         单抛,  Ø3"x 0.5mm.
 
表面粗糙度Ra:<15A
 
可按客户需求定制相应的方向和尺寸。
标准包装: 1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
 

 

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