• 产品名称: AL2O3+GaN薄膜(P型掺Mg, R:3-5Ω-cm)
  • 产品编号: xjt027
  • 产品提示: 图片及数据仅供参考,具体请致电销售热线
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产品名称:

Al2O3+GaN外延薄膜(Mg-doped P-type GaN Epitaxial Template on sapphire)

 

技术参数:

Al2O3参数:

c-Axis (0001) off angle 0.2O±0.1 @ M-plane,dia50.8 mm ± 0.25 mm,单抛

GaN厚度:

3.0 um +/- 10%

电阻率:

3- 5 Ω-cm

载流子浓度:

1x10^17 ~3x10^18/cm3

空穴迁移率:

20cm-2/V

RMS:

 <1nm

FWHM of RC for(002):

~~350 arcsec

FWHM of RC for(102):

~~450 arcse

 

标准包装:

1000级超净室100级超净袋真空包装和单片盒装

 

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