• 产品名称: AL2O3+GaN薄膜(进口GaN Epitaxial Template( N-type Fe-doped) on Sapphire)
  • 产品编号: xjt026
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产品名称:

Al2O3镀GaN薄膜(进口GaN (0001)Epitaxial Template(N-type Fe-doped)on Sapphire)

技术参数:

GaN类型:

N 型掺Fe,

GaN 尺寸:

dia 2 inch + 5um±1um

GaN 电阻率:

6-8 Ohm-cm

GaN浓度:

N/A

极性Polarity:

Ga-face

宏观缺陷密度:

<10 cm^-2

Al2O3参数:

<0001> A plane off cut 0.2°degreedia2,单抛

 

产品尺寸:

dia2 inch 

标准包装:

1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒

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