• 产品名称: AL2O3+Al(0.1)Ga(0.9)N 薄膜(Al0.1GaN0.9 epitaxial template on Sapphire N type )
  • 产品编号: xjt019
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产品名称:

Al2O3+Al0.1GaN0.9 薄膜N型不掺杂(Al0.1GaN0.9 epitaxial template on Sapphire  N type )

常规尺寸:

dia2",单抛

 

标准包装:

 

技术参数:

 

1000级超净室及100级超净纸真空包装或单片盒装

 

Al2O3晶向:

c-axis (0001) +/- 1.0 o

导电类型

N 型不掺杂

薄膜厚度:

5um,研究级,单抛

电阻率:

< 0.5 Ohm-cm

正面Ga面情况:

As-grown

反面情况

as-received finish

可用区域:

>90% Edge Exclusion Area 1mm

数据图:

详细数据图请点击

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