• 产品名称: Si+Si3N4薄膜(进口料Silicon Nitride Film (LPCVD) on Silicom Wafer N type doped P)
  • 产品编号: xjt017
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产品名称:

Si+Si3N4薄膜(进口料Silicon Nitride Film (LPCVD) on Silicom  Wafer N type doped P)

常规尺寸:

dia 4" ±0.5 mm x  0.525 ±0.025 mm

标准包装:

 

技术参数:

1000级超净室100级超净袋真空包装、单片盒或插盒  

Si参数:

 

晶向:<100>±0.5°;

掺杂类型:N型掺P;

电阻率:1-20 ohm-cm

抛光:单抛;

Si3N4参数:

 

生长方法:low stress LPCVD method

薄膜厚度:1.3um ±5%300 nm  +/- 10%

镀膜情况:Si3N4 covers both side of Silicon wafer

 

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