• 产品名称: InP上镀InGaAs薄膜 半绝缘)进口料 (InGaAs EPI on InP ,Semi-insulating)
  • 产品编号: xjt015
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产品名称:

 InP上镀InGaAs薄膜 半绝缘 进口料(InGaAs EPI on InP,Semi-insulating)

常规尺寸:

dia 2" 

标准包装:

 

技术参数:

1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装

InP晶向:

<100>

掺杂类型:

掺Fe ;半绝缘型

电阻率:

>1x10^7)ohm.cm

InP EPD:

<1x10^4 /cm^2

薄膜参数:

Lattice matched In/Ga alloy layer of N-type InGaAs(Si-doped)

薄膜Nc:

>2x10^18 /cc  

薄膜厚度:

0.5 um (± 20%)

生长方法:

MOCVD deposition

抛光:

双面抛光

数据表:

Dopant

Type

Carrier Concentration

( cm-3)

Mobility

( cm2/V.Sec)

Resistivity

( ohm-cm )

EPD

(cm-2)

Undoped

N

7.5-9.5  x1015

4300-4400

1.6E-1-4.5E-1

<5000

Sn

N

0.5 ~1.0 x1018

0.5 ~1.0 x1018

200 ~ 2400

1500 ~ 2000

0.001 ~ 0.002

0.0025~0.007

3~5 x104

Zn

P

0.8 ~ 2.0  x1018

2.5 ~ 4.0 x1018

2500 ~ 3500

1300 ~ 1600

0.0025 ~ 0.006

1~ 3 x104

Fe

Semi-Insulating

N/A

1550-1640

(2.1-2.7) x107

<5000

 

 

  

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