• 产品名称: GaAs晶体基片
  • 产品编号: jtlb51
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产品名称:

砷化镓(GaAs)晶体基片

 

技术参数:

 单晶

 砷化镓(GaAs)

 掺杂

 NoneSiCrTeZn

 导电类型

 NP

 载流子浓度cm-3

 /> 5x1017     /~2x1018    >5x1018

 位错密度cm-2

 <5x105

 生长方法及最大尺寸

 LEC & HB Ø3"

 

产品规格:

常规晶向:<100><110><111>

晶向公差:±0.5°

常规尺寸:5x5x0.5mm; 10x10x0.5mm;dia1"x0.5mm;

         dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.5mm;

抛光情况:细磨、单抛、双抛;

表面粗糙度Ra:<15A

 

注:可按照客户要求加工尺寸和晶向

 

标准包装:

1000级超净室100级超净袋真空封装或单片盒装

 

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