• 产品名称: GaP晶体基片
  • 产品编号: jtlb49
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产品名称:

磷化镓(GaP)晶体基片  

 

技术参数:

晶体结构:

立方         a =5.4505 Å

生长方法:

提拉法

密度:

4.13  g/cm3

熔点:

1480  oC

热膨胀系数:

5.3 x10-6  / oC

掺杂物质:

掺S              不掺杂

方向:

<111>or<100>     <100>or<111>

类型:

N                 N

热传导率:

2~8 x1017/cm3       4~ 6 x1016/cm3

电阻率W.cm

~0.03             ~0.3

 EPD (cm-2 )

< 3x105            < 3x105

 

产品规格:

晶体方向:<111><100>±0.5

常规尺寸:dia2"x0.35mm ;dia2"x0.43mmdia3"x0.3mm ;

 

标准包装:

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

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